AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400
型号：AO3400
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
最大漏源电流：5.8A
漏源击穿电压：30V
RDS（ON）Max：0.033Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：：封装尺寸：
特性：中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
AO3400场效应管
AO3400的电性参数：最大漏源电流5.8A；漏源击穿电压30V
特征：低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=30V，Id=5.8A
RDS（开）:0.033mΩ （最大值）@VG=10V
